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'''橫向擴散金屬氧化物半導體'''(英語:'''L'''aterally'''D'''iffused'''M'''etal'''O'''xide'''S'''emiconductor,縮寫:'''LDMOS''')定定予人用佇微波 / 射頻電路,製造佇高濃度含雜矽基底的被晶層上。 LDMOS 定定予人用佇製作基站的射頻功率放大器,原因是伊會當滿足懸輸出功率、柵源拍穿電壓大於六十伏的要求。元件佮其他的物件(如 GaAs 場效電晶體)相比並,LDMOS 功放足大值的頻率相對較細。LDMOS 技術的生產製造商包括台灣積體電路製造公司(TSMC)、 格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、 世界先進積體電路(VIS)、 英飛凌、RFMD、飛思卡爾(Freescale)等。 [[分類: 待校正]]
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