檢視氮化氮的原始碼

'''氮化氮'''（'''GaN'''、Gallium nitride）是氮佮鴟鴞的化合物，是一種 III 族和 V 族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自一九九空年起常用佇發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度足懸的。氮化氮的能縫足闊的，為三允四電子伏特，會當用佇高功率、高速的光電元件內底，比如講氮化氮會當用佇紫光的雷射二極體，會當佇無欲用非線性半導體phóng-phuh咧固體雷射（Diode-pumped solid-state laser）的條件下跤，產生紫光（四仔空五  nm）雷射。

親像其他 III 族元素的氮化物，氮化氮對游離輻射的敏感性較低，這予伊適合用佇人造衛星的太陽能電池陣列。軍事的佮空間的應用嘛有可能受益，因為氮化氮設備佇輻射環境內底顯示出穩定性。相比新化學（GaAs）電晶體，氮化氮電晶體會當佇懸甲濟濟溫度佮電壓做工課運行，𪜶是理想的微波頻率的功率放大器。

==應用==

===發光二極體佮雷射===

是基於氮化氮的紫色雷射二極體被用佇讀藍光光碟。氮化氮佮抹（InGaN）抑是 a-lú-mih（AlGaN）的混合，其實取決於是交代 a-lú-mih 佮氮化氮的比例，會當製造色水對紅色到紫外線的發光二極體（LED）。

===電晶體佮電源積體電路===

氮化氮電晶體適用佇高頻率、高電壓、高溫佮高效率的產品。氮化氮 HEMT 的商業化產品自二空空六年開始佇市場出現，因為其高效率佮高電壓操作，佇各種無線基礎設施應用中隨得著應用。第二代有較短的地動也誠長度的元件會用佇需要閣較懸頻率的電信佮航空業產品。

是基於氮化氮的 MOSFET 和 MESFET 電晶體嘛有高功率低損蕩的優勢，特別適合佇咧汽車佮電動汽車當中愛用。自二空空八年起，這兩種電晶體已經會當佇矽基枋頂懸做。高電壓（八百 V）蕭特基二極體（SBD）已經研製成功。

集做的氮化氮電源積體電路有閣較懸的效率佮高功率密度，會當減少包括移動佮筆記本電腦充電器、消費電子、計算設備佮電動汽車等產品的 sài-sù、重量佮元件數。是因為氮化氮的電子產品（毋是純氮化鼻）有可能大幅削減能源消磨，毋但是佇咧消費電子產品當中，甚至嘛會當用著電力傳輸設施中。

佮矽電晶體因為電源浪被關起來無仝，氮化氮電晶體是典型的空乏模式元件（即當閘極-源極電壓做零時開啟 / 阻止）。 目前已經有幾種方法通用來達到正常關起來（抑是 E 模式）的操作，這對著佇電力電子當中使用誠有必要：

* 佇閘仔內面植入氟離子（氟離子的負電錢有利於空乏通道）
* 使用帶有 AlGaN 塌槽的 MIS 型閘仔疊起來
* 共一个定開 GaN 電晶體佮一个低電壓矽 MOSFET 整合構成的級聯對
* 佇咧 AlGaN / GaN 異質接面採用 p 型層做頂懸的

===雷達===

𪜶嘛予軍事電子設備，如主動電子掃描陣列雷達。

==相關條目==

==參考資料==

==外部連結==

*（英文）Ioffe data archive

[[分類: 待校正]]