檢視氮化a-lú-mih 的原始碼

'''氮化 a-lú-mih'''( Aluminum Nitride，AlN ) 是 a-lú-mih 的氮化物。纖鋅礦狀態的氮化 a-lú-mih ( w-AlN ) 是一種空縫 ( Wide-bandgap Semiconductor ) 的半導體材料 ( 六桱二 eV )。故嘛是可應用佇咧深紫外線光電子學的半導體物料。

==歷史猶閣有特性==

氮化 a-lú-mih 佇一八七七年頭一改合成。至一九八空年代，因氮化 a-lú-mih 是一種瓷仔絕緣體 ( 多晶體物料為七十五二百十一 W ・ m− 一‧K− 一，就會當單晶體閣較會當到兩百七十五 W ・ m− 一‧K− 一 )，使氮化 a-lú-mih 有較懸的傳熱能力，至使氮化 a-lú-mih 予大量應用佇咧微電子學。佮氧化鼻無仝的是氮化 a-lú-mih 無毒。氮化 a-lú-mih 用金屬來處理，會使取代礬塗佮氧化抹佇大量電子儀器。氮化 a-lú-mih 會通過氧化 a-lú-mih 佮碳的還原作用抑是直接氮化金屬 a-lú-mih 來製備。氮化 a-lú-mih 是一種以共價鍵相連的物質，伊有六角晶體結構，佮硫化鋅、纖維鋅礦同形。這結構的空間組為 P 六十三 mc。愛拍予熱才會過拍予工業級的物料。物質伊佇貧惰性的高溫環境內底非常的穩定。佇空氣當中，溫度懸七百抹氏度的時陣，物質表面會發生氧化作用。佇咧室溫下跤，物質表面猶原會當探測著五五四十奈米厚的氧化物薄膜。直至一千三百七十五氏度，氧化物薄膜猶會當保護物質。毋過做溫度傷懸一千三百七十尺尺度的時陣，便會發生大量氧化作用。直至九百八十曉氏度，氮化 a-lú-mih 佇氫氣佮二氧化碳內底猶是誠穩定。礦物酸通過侵襲粒狀物質的界限使伊沓沓仔溶解，強鹼是通過侵襲粒狀氮化 a-lú-mih 使伊溶解。物質佇水中會沓沓仔水解。氮化 a-lú-mih 會使抵抗大部份融解的鹽的侵襲，包括氯化物佮冰晶石〔即六氟 a-lú-mih 酸鈉〕。

==應用==

有報告指這馬大部份的研究攏咧開發一種以半導體（氮化氮抑是合金 a-lú-mih 氮化氮）為基礎而且運行佇紫外線的發光二極體，而光的波長做兩百五十奈米。佇兩千空六年五月有報告指一个無效率的二極體會當發出波長做伙一十奈米的光波 [一]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化 a-lú-mih 晶體上有六板二 eV 的能隙。理論上，能縫允准一寡波長為大約兩百奈米的波通過。但是佇商業上實行的時陣，需要克服袂少困難。氮化 a-lú-mih 應用佇這个光電的工程，包括佇光學儲存介面佮電子基質作唌電層，佇懸的導熱性下作晶片載體，閣有軍事用途。

因為氮化 a-lú-mih 壓電效應的特性，氮化 a-lú-mih 晶體的外延性伸展也用佇表面聲學波的探測器。而探測器會囥佇矽晶圓頂懸。干焦有足少的所在通好靠地製造遮的幼的薄膜。

==參見==

* 氮化硼
* 磷化 a-lú-mih
* 氮化氮

==參考資料==

==外部連結==

* 氮化 a-lú-mih AIN

===學術===

* Ioffe data archive ( 羅福資料檔案館 )
* Electronic Structure of AlN ( 氮化 a-lú-mih 的電子結構 )
* MSDS ( University of Oxford )〔物質安全資料表 ( 牛津大學 )〕
* Chemistry  : Periodic Table  : aluminium  : compound data〔aluminium ( III ) nitride〕
化學：週期表：a-lú-mih：化合物數據〔氮化 a-lú-mih ( Ⅲ )〕

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