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金屬半導體場效電晶體
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'''金屬半導體場效電晶體'''(英語:'''metal semiconductor field effect transistor , MESFET'''), 簡稱'''金半場效電晶體''',是一種佇結構頂懸佮接面場效電晶體類似,毋過伊和後者的區別是這款場效電晶體並無使用 PN 接面成做其他的極閘,而是採用金屬、半導體接觸結,構成蕭特基勢壘的方式形成閘極。金屬半導體場效電晶體通常由化合物半導體構成,比如講新化領、磷化鄰化、碳化矽等等,伊的速度比由矽製造的接面場效電晶體抑是 MOSFET 較緊咧,但是嘛價數相對較懸。金屬半導體場效電晶體的工作頻率上懸會當達到四十五 GHz 左右,佇微波頻段的通信、雷達等設備中有廣泛應用。頭一个金屬半導體場效電晶體佇一九六六年被發明,其良好的極高頻性能佇隨後的一年即展現出來。佇數位電路設計領域,因為數位積體電路的集成度一直提懸,就按呢使用金屬半導體場效電晶體並無如 CMOS。 ==參考文獻== ==相關條目== * 場效電晶體 * 高電子移動率電晶體 * 異質接面雙極性電晶體 [[分類: 待校正]]
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金屬半導體場效電晶體
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