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'''高電子移動率電晶體'''（英語：'''High electron mobility transistor , HEMT'''）， 嘛稱'''調變摻雜場效電晶體'''（'''modulation-doped FET , MODFET'''）是場效應電晶體的一種，伊使用兩種具有無仝的能縫的材料形成異質結，為載子提供通道，毋是像金屬氧化物半導體場效電晶體彼，直接使用濫濫的半導體毋是結來形成導電通道。砷化又閣、砷抹 a-lú-mih 三元化合物半導體是構成這種元件會當選材料，當然根據具體的應用場合，會當有其他的加種組合。比如講，含精神的元件普遍表現出閣較好的高頻性能，啊若近年來發展的氮化氮高電子移動率電晶體是憑藉其良好的高頻特性吸引大量的關注。高電子移動率電晶體會當佇極高頻下做工課，就按呢行動電話、衛星電視佮雷達中應用廣泛。

==外部連結==

* Heterostructure Field Effect Transistors

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