檢視 LPDDR 的原始碼

'''行動 DDR'''（英文：'''Mobile DDR'''）（嘛稱'''MDDR'''、'''Low Power DDR'''抑是'''LPDDR'''）是 DDR SDRAM 的一種，專門用佇咧移動式電子產品，譬如講智慧型電話等等。

DDR 記憶體對 DDR、DDR 二、DDR 三發展到 DDR 四，頻率直直衝懸、電壓一直降低，但反應時間不斷變大。現此時的 DDR 四記持體上重要的使命是提高頻率佮頻寬。DDR 四記持體的逐个針跤會當提供二 Gbps（兩百五十六 MB / s）彼个頻闊，擁有四千兩百六十六 MT / s 彼个頻率，記持體容量上大會當到一百二十八 GB，執行電壓正常會當降甲一四界 V ~ 一孵二 V。

相對的是 DDR 記持體，MDDR 有低功用、高可靠性的特點，目前韓國三星電子佮美光科技（Micron Technology）等公司已經掌握這个技術。

MDDR 的執行電壓（工作電壓）低於 DDR 的標準電壓，對第一代 LPDDR 到這馬的 LPDDR 四，每一代 LPDDR 攏使內部讀取速度佮外部傳輸速度增加倍。現此時的 LPDDR 四會當提供三十二 Gbps 彼个頻闊，輸入 / 輸出介面資料傳輸速度上懸會當到三千兩百 Mbps，電壓降到甲一四界 V。

==LPDDR 二==

一个新的 JEDEC 標準 JESD 二百空九九二二 F 定義矣 low-power DDR 介面標準。伊佮 DDR 一抑是 DDR 二 SDRAM 無相容，猶毋過類似：

* LPDDR 二-S 二 : 二 n prefetch memory ( 像 DDR 一 )，
* LPDDR 二-S 四 : 四 n prefetch memory ( 像 DDR 二 )，抑是講
* LPDDR 二-N : 非揮發性（NAND）記持體。

低功了狀態基本相𫝛，LPDDR，一寡另外的部份陣列更新選項。

列位址（Column address）C 零 bit 毋捌轉予，並假定做零。突發傳輸（Burst transfers）從而且終在偶數位址開始。

LPDDR 二嘛有一个低電平有效的 chip select（伊懸，一切攏是 NOP）佮時鐘（clock）開啟 CKE 訊號，操作像 SDRAM。

* 若晶片去予啟用（active）， 伊凍結（freeze）到位。
* 若該命令彼是一个 NOP（CS 低或者是 CA 零-二=HHH）， 晶片空閒。
* 若該命令是一个更新號令（CA 零-二=LLH）， 晶片進入自更新的狀態。
* 若該命令是一个突發終止（CA 零-二=HHL）， 晶片進入深斷電的狀態。（完全復位序列的時陣，愛離開。）

==LPDDR 三==

二空一二年五月，JEDEC 固態技術協會公佈 JESD 兩百空九陽三低功了記憶裝置標準。比起 LPDDR 二，LPDDR 三提供閣較懸的數據傳輸速率、閣較懸的頻寬和功率效率。LPDDR 三會當達到一千六百 MT / s 的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術 write-leveling、command / address training、選擇性 ODT（On Die Termination）佮低 I / O 電容。LPDDR 三支援 PoP 封裝（package-on-package）佮離散封裝兩个形式。

==LPDDR 四==

二空一三年三月十四，JEDEC 固態技術協會舉辦會議，探討未來行動裝置的新標準，如 LPDDR 四。

===LPDDR 四 X===

三星電子提出上新的 LPDDR 四標準，佮 LPDDR 四相仝，只是透過將 I / O 電壓降低到空七六 V 毋是一爿孤一爿 V 來節省額外的功磨，也就是閣較省電。

==LPDDR 五==

二空一七年乎，JEDEC 固態技術協會當咧研究 LP-DDR 五記持裝置標準。就算講負責定記持體標準的 JEDEC 固態技術協會猶未發表 LPDDR 五的正式規格，但是三星已經完成八 Gbit LPDDR 五模組原型的功能測試佮驗證。

JEDEC 佇咧二空一九年二月十九發布矣 JESD 兩百空九九鼻五，低功了雙倍數據速率五（LPDDR 五）標準。

===LPDDR 五 X===

二空二一年七月二八，JEDEC 發佈矣 JESD 兩百空九九鼻五 B，低功了雙倍數據速率五 ( LPDDR 五 )。JESD 兩百空九九鼻五 B 包括著 LPDDR 五標準的更新，專注射提高效能、功了佮靈活性，猶閣有新的 LPDDR 五 X 標準，這是嘿 LPDDR 五的會當選擴展。

二空二一年十一月初九，三星宣佈公司已經開發出業界頭款 LPDDR 五 x DRAM。基於十四奈米的十六 GB LPDDR 五 X DRAM 解決方案，毋但有一片三倍以上的數據傳輸速率、功用猶降低將近百分之二十。

二空二一年十一月二二，美光科技宣佈，聯發科技已經率先驗證美光 LPDDR 五 X DRAM，閣欲用腦筋的智慧型手機仔打造甲規身軀頂知九千五 G 旗艦晶片組。

==注釋==

==外部連結==

* Samsung
* Micron
* Elpida

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