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金屬半導體場效電晶體 - 修訂紀錄
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2025-08-23T11:26:25Z
<p>從 JSON 檔案批量匯入</p>
<p><b>新頁面</b></p><div>'''金屬半導體場效電晶體'''（英語：'''metal semiconductor field effect transistor , MESFET'''）， 簡稱'''金半場效電晶體'''，是一種佇結構頂懸佮接面場效電晶體類似，毋過伊和後者的區別是這款場效電晶體並無使用 PN 接面成做其他的極閘，而是採用金屬、半導體接觸結，構成蕭特基勢壘的方式形成閘極。金屬半導體場效電晶體通常由化合物半導體構成，比如講新化領、磷化鄰化、碳化矽等等，伊的速度比由矽製造的接面場效電晶體抑是 MOSFET 較緊咧，但是嘛價數相對較懸。金屬半導體場效電晶體的工作頻率上懸會當達到四十五 GHz 左右，佇微波頻段的通信、雷達等設備中有廣泛應用。頭一个金屬半導體場效電晶體佇一九六六年被發明，其良好的極高頻性能佇隨後的一年即展現出來。佇數位電路設計領域，因為數位積體電路的集成度一直提懸，就按呢使用金屬半導體場效電晶體並無如 CMOS。<br />
<br />
==參考文獻==<br />
<br />
==相關條目==<br />
<br />
* 場效電晶體<br />
* 高電子移動率電晶體<br />
* 異質接面雙極性電晶體<br />
<br />
[[分類: 待校正]]</div>
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