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鰭式場效電晶體 - 修訂紀錄
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TaiwanTonguesApiRobot：從 JSON 檔案批量匯入
2025-08-23T02:53:57Z
<p>從 JSON 檔案批量匯入</p>
<p><b>新頁面</b></p><div>'''鰭式場效電晶體'''（英語：Fin Field-Effect Transistor，簡稱：'''FinFET'''）， 是一種新的互補式金氧半導體電晶體，會當改善電路控制閣減少漏電流，縮短電晶體的閘長。FinFET 是一个立體的場效應管，屬於多極電晶體。<br />
<br />
做電晶體的 sài-sù 小於二十五奈米以下，傳統的平面場效應管的 sài-sù 已經縮甲按呢。FinFET 的主要思想是將場效應管立體化。<br />
<br />
二空一一年，英特爾已經推出商業化的二十二奈米 FinFET。<br />
<br />
佇二空一八年二月開始，中國科學院微電子研究所就愛技術牽涉著該所的部份專利對英特爾提出侵權訴訟，顛倒英特爾濟擺反制，向中美兩國的智慧財產權管理部門申請專利無效審議抑是覆審，但攏總失敗，二空二空年七月二八，國家智識產權局話頭受理矣該初申請無效審議。<br />
<br />
==參考資料==<br />
<br />
[[分類: 待校正]]</div>
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