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2025-08-22T02:12:01Z

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'''Fully Buffered DIMM'''（抑是'''FB-DIMM'''）是一種記持體解決方案，用來增加記憶體系統的穩定性、速度、佮容量密度。就傳統來講，記持體控制器頂懸的資料線必須愛佮每一个 DRAM 模組相連接，遮的記持體毋管是拓寬存取介面的頻闊抑是加緊存取介面的速度，攏會使介面的信號轉差，如此毋但限制速度的提升，嘛會限制記憶體系統的記憶空間提升，而且 FB-DIMM 著是用無仝款的方式手法來解決這个問題。JEDEC 組織已經正式摃定發佈 FB-DIMM 的規範標準。

==技術==

Fully Buffered DIMM 架構新創立了一粒先進記憶體緩衝（Advanced Memory Buffer，AMB）晶片，這粒晶片予人安插佇記持體控制器佮記憶體模組間，而且佮「傳統 DRAM 咧用的並列匯流排架構」無仝的，FB-DIMM 是以串列介面來接接 AMB 晶片佮記持體控制器，遮爾仔會當佇無增加記憶體控制器的線路數下提升記憶體的頻寬，同時有技術可行性。使用此架構了後，記持體控制器無需要閣直接共資料寫入記持體模組，是透過 AMB 晶片來完成這項工課。此外 AMB 嘛會當沓沓仔衝方式來到補信號質化並且重新發送的信號。除了這以外，AMB 嘛會使提供錯誤更正，毋免偏勞到記持體控制器抑是處理器，另外嘛會用得提供「位元通道容錯移轉校正 ( Bit Lane Failover Correction )」能力，會當查出佗一條資料路徑損害，嘛佇咧運作的過程當中將歹去路徑徙掉免，按呢會當大幅度減少命令資訊傳輸、位址資訊傳輸的錯誤。

此外，因為讀取得佮寫入去攏已經透過緩衝處理，所以記持體控制器會當執行讀取佮寫入。按呢毋但接線閣較簡單、記持閣較闊閣較大，而且就理論來講，記持體控制器會當毋免佮理會所使用的是啥款記持體晶片，可以是以早的 DDR 二或或者是現在的 DDR 三，理論上會當直接替換。猶毋過，Fully Buffered DIMM 的做法嘛有其他的做法，特別是咧功磨（Power Consumption）佮資料存取需求的延延（Latency，俗稱：Lag）上。毋過這款方式應該是未來上無顧慮的記持體效會當提升法。

==外部連結==

* http : / / www . jedec . org / standards-documents / docs / jesd 鋪八鋪十八 a
* The Inquirer series（探究者系列）: [一] [二] [三]

[[分類: 待校正]]

FB-DIMM - 修訂紀錄

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