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	<title>GDDR五 - 修訂紀錄</title>
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	<updated>2026-04-11T01:41:59Z</updated>
	<subtitle>本 wiki 上此頁面的修訂紀錄</subtitle>
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		<id>https://wiki.taigi.ima.org.tw/w/index.php?title=GDDR%E4%BA%94&amp;diff=400729&amp;oldid=prev</id>
		<title>TaiwanTonguesApiRobot：​從 JSON 檔案批量匯入</title>
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		<updated>2025-08-22T10:10:15Z</updated>

		<summary type="html">&lt;p&gt;從 JSON 檔案批量匯入&lt;/p&gt;
&lt;p&gt;&lt;b&gt;新頁面&lt;/b&gt;&lt;/p&gt;&lt;div&gt;&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;第五版圖形用雙倍資料傳輸率&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;記持體（&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;G&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;raphics&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;D&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;ouble&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;D&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;ata&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;R&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;ate , version&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;五&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;，簡稱&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;GDDR 五&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;）， 是一種高效能顯示卡使用的仝步動態隨機存取記憶體，專為高頻寬需求電腦應用所設計。由 AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC 等聯合制定，取代 GDDR 三以及 GDDR 四顯示記持體。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==技術細節==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
GDDR 五和 GDDR 四一樣因為 DDR 三 SDRAM 改造來，基本記持體架構佮 DDR 三相若，記持體預取嘛是仝款的八 n 設定。咱所講的「預取」，即記憶體晶片內部的記憶體陣列傳輸率佮輸出 / 輸入（I / O）存取傳輸率的比值，「 八 n」代表 I / O 緩衝區一擺讀記持體陣列中八位元的資料，提升記憶體外部的傳輸速度。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
GDDR 五為著增加頻闊並且降低延時，避免出現 GDDR 四彼款高頻闊毋過懸延時的情形，佮 DDR 三相比，GDDR 五顯示記持體使用矣 DQ 並列雙資料匯流排，等於是提供了在 GDDR 三的基礎加一條通道，而且 GDDR 三顯示記憶體、DDR 三記持體煞干焦一條通道；另外咧，GDDR 五採用時脈分離的設計，位址佮命令匯流排採用其中一組時脈訊號，啊若資料回流排是採用另外獨立的一組，而且為位址和命令匯流排時脈的兩倍。所以乎 GDDR 五的理論速度會當達到 DDR 三的四倍、GDDR 三 / GDDR 四的兩倍，五 GT / s 以上的高傳輸率（亦即坊間所謂的五 GHz 高頻）變做有可能，透過高頻率有可能使一款一百二十八 bit 的顯示卡效能超過 DDR 三的兩百五十六 bit 顯示卡。。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
相比並 GDDR 三抑 GDDR 四顯示記持體來講工作電壓對一鋪八 V 降為電壓干焦有一見五 V，猶閣有新電源管理技術，功用較低。而且 GDDR 三使用的為八十 nm 製程，而且 GDDR 五為五十五 nm，製程的提懸予仝款容量晶片的體積縮小，發熱量嘛會當低足濟的。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
一般 GDDR 五需要配 PCI-E 以上規格的顯示卡才有支援。猶毋過 Sony 新一代家庭遊戲機 PlayStation 四嘛咧用矣 GDDR 五，其實載由 AMD 定做的 APU，配合 HSA，會當直接使用 GDDR 五作為資料存取使用。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
===頻率===&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
廠商標示的是數據頻率，數據頻率相等於運作頻率的四倍。六千 MHz GDDR 五的實際運作頻率是一千五百 MHz。DDR 記億體會佇一點鐘周期內的頂升期佮下降期各傳輸一擺數據，DQ 並列雙匯流排也令數據傳輸量倍增。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==後一代接替品==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
二空一一年早期有訊息指出，DDR 四 SDRAM 記持體問世後，將會有基於 DDR 四標準的 GDDR 六顯示記持體標準，亦即「&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;第六版圖形用雙倍資料傳輸率&amp;#039;&amp;#039;&amp;#039;」（Graphics Double Data Rate , version 六，簡稱 GDDR 六）， 將由 AMD 佮 JEDEC 佇二空一二年合作制定，除了這以外閣有 NVIDIA、Intel、懸通、德州儀器、Cisco 遮的資訊企業參與該標準的制定。該標準抑是基於著 DDR 四 SDRAM，佮基於 DDR 三 SDRAM 的 GDDR 五將有袂少技術的精差。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
就算講有袂少訊息稱該標準會佇二空一四年完成，實際產品將會到二空二空年會大規模使用。毋過，至二空一五年四月為止 JEDEC 猶閣有其相關合作同伴猶未公佈因為 GDDR 六个相關的資訊。一直到二空一五年四月為止，NVIDIA 所發的 GeForce 九百系列顯示核心猶原使用 GDDR 五顯示記憶體，但等效時脈提升到七 , 十 MHz 起落；而且 AMD 是公佈矣 HBM 疊式顯示記持體技術，二空一五年六月，AMD 發表 Radeon Rx 三百系列有坐載 HBM 技術的顯示卡。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
HBM 比起 GDDR 五擁有閣較懸的頻寬佮位元，每一粒 HBM 記持體就懸到一千空二十四位元，時脈干焦有五百 MHz 左右，電壓嘛比 GDDR 五低，猶閣會縮小記憶體粒佈置空間，毋過製造困難成本嘛懸，所以供應量足少的。因為 HBM 產量低閣成本貴參參，現此時才閣有 GDDR 六顯示記持體會接替 GDDR 五的訊息流出。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
佇咧 HBM 發佈了後，HBM 二嘛成功開發出來，記持體位元提升到兩倍。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
美光科技佇二空一五年十月宣佈成功開發出 GDDR 五 X，比 GDDR 五閣較懸、迫近現時 HBM 的頻寬速度（佇記持體匯流排維持兩百五十六位元、等效時脈十四 GHz 的條件下跤，至少會當有四百四十八 GB / s 彼个頻闊）。 目前已經知影 GDDR 五 X 比較起來 GDDR 五的改變，佇記憶體預取對八 n 提升到十六 n、運行電壓低（和 DDR 三 L 仝款的一孵三五 V）、 賰的部份佮 GDDR 五的基本相仝。NVIDIA Pascal 架構的顯示核心，旗艦型號使用 GDDR 五 X 記持體。&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==另見==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
* 電腦裝置誠闊列表&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==外部連結==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
* Introduction To GDDR 五 SGRAM ( by ELPIDA )&lt;br /&gt;
* Making Accurate Measurements on GDDR 五 Memory Systems&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
==參考文獻==&lt;br /&gt;
&lt;br /&gt;
[[分類: 待校正]]&lt;/div&gt;</summary>
		<author><name>TaiwanTonguesApiRobot</name></author>
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