巨磁阻效應
巨磁阻效應（英語：Giant Magnetoresistance，縮寫：GMR）是一種量仔力學佮凝聚體物理學現象，磁阻效應的一種，會當佇磁性材料佮非磁性材料相間的薄膜層（幾个奈米厚）結構內底觀察著。二空空七年諾貝爾物理學獎被授予發現巨磁阻效應（GMR）的那個得 ・ 格林貝格佮艾爾伯 ・ 費而已。
這款的結構物質的電阻值佮鉛磁性材料薄膜層的磁化方向有關係，兩層磁性材料磁化方向相反情形下的電阻值，明顯大於磁化方向仝款的電阻值，電阻佇真弱的外加磁場下具有真大的變化量。巨磁阻效應被成功地運用佇硬碟生產上，具有重要的商業應用價值。
巨磁阻的主要應用是磁場傳感器，會當讀硬碟、生物傳感器、微機電系統等等設備中的數據；其多層結構嘛予人用佇作為存儲一位元信息的單元的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）。
現象
物質佇一定磁場下電阻改變的現象，這號做「磁阻效應」，磁性金屬佮合金材料一般攏有這種磁電阻現象，通常情況下，物質的電阻率佇磁場內底干焦產生輕輕仔減細；佇咧某種條件下跤，電阻率減細的幅度相當大，比通常磁性金屬佮合金材料的磁電阻值約懸十外倍，這號做「巨磁阻效應」（GMR）； 毋過佇真強的磁場內底某一寡絕緣體會雄雄變做導體，這號做「超巨磁阻效應」（CMR）。
如右圖所示，倒面佮正面的材料結構相仝，兩爿是磁性材料薄膜層（藍色）， 中間是非磁性材料薄膜層（柑仔色）。
倒面的結構當中，兩層磁性材料的磁化方向相仝。
- 當了自旋方向佮磁性的材料磁化方向攏仝款的電子通過的時陣，電子較會通過兩層磁性材料，攏呈現小電阻。
- 當了自旋方向佮磁性的材料磁化方向攏倒反的電子通過時，電子較歹通過兩層磁性材料，攏呈現大電阻。這是因為電子的自旋方向佮材料的磁化方向相反，產生散射，通過的電子數減少，對使得電流減細。
正面的結構內底，兩層磁性材料的磁化方向相反。
- 當一束自旋方向和第一層磁性材料磁化方向相仝的電子通過的時陣，電子較會通過，呈現小電阻；但是較歹通過第二層磁化方向佮電子自旋方向相反的磁性材料，呈現大電阻。
- 當一束自旋方向佮第一層磁性材料磁化方向相反的電子通過時，電子較歹過咧，呈現大電阻；但是較會通過第二層的磁化方向佮電子自旋方向相𫝛的磁性材料，呈現小電阻。
發現
巨磁阻效應佇咧一九八八年由德國於利希研究中心的彼得 ・ 格林貝格佮巴黎第十一大學的艾爾伯 ・ 費爾分別獨立發現的，𪜶因此共同得著二空空七年諾貝爾物理學獎。
格林貝格的研究小組佇咧上早的工課中只是研究了由鐵、鉻、鐵三層材料組成的結構物質，實驗結果顯示電阻下降了百分之一石五。若費的研究小組研究了後由鐵佮閣組成的濟層材料，予電阻下降百分之五十。
格林貝格佮利純希研究中心享有巨磁阻技術的一項專利，伊上頭仔提交論文的時間愛較費按呢較早一寡（格林貝格佇一九八八年五月三十一號，費而且一九八八年八月二四）， 若費的文章發表了閣較早（格林貝格佇一九八九年三月，因為一九八八年十一月）。 費爾準確地描述了巨磁阻現象背後的物理原理，格林貝格是真緊看著矣巨磁阻效應佇技術應用上的重要性。
應用
巨磁阻效應佇咧高密度讀出磁頭、磁存儲元件有廣泛的應用。隨著技術的發展，做存儲數據的磁區愈來愈細，存儲數據密度愈來愈大，這對讀寫磁頭提出閣較懸的要求。巨磁阻物質中電流的增大和減細，會當定義做邏輯信號的零佮一，進一步實現對磁性存儲裝置的讀取。巨磁阻物質會用磁性方法存儲的數據，才無仝款的大細電流輸出，並且即使磁場足細的，嘛會當輸出有夠的流變化，以便識別數據，自按呢大幅度提懸數據存儲的密度。
巨磁阻效應被成功地運用佇硬碟生產上。一九九四年，IBM 公司研製成功了巨磁電阻效應的讀出磁頭，共吸碟記錄密度提懸了十七倍，對而且致使吸碟佇佮光碟的競爭中重新轉來到領先地位。目前，巨磁阻技術已經成做差不多所有計算機、這个數位相機和 MP 三播放器等等的標準技術。
利用巨磁電阻物質佇無仝的磁化狀態下具有無仝電阻值的特點，閣會使製成磁性隨機存儲物（MRAM）， 其優點是佇不通電的情況下會當繼續保留存儲的數據。
除了這以外，巨磁阻效應閣應用佇微弱磁場探測器。
參閱
- 磁阻效應
- 超巨磁阻效應