電子束檢測

電子束檢測（Electrons Beam inspection，簡稱 E-beam inspection、EBI）， 用佇半導體的元件的缺陷 ( defects ) 檢驗，以電性缺陷 ( Electrical defects ) 為主，型狀缺陷 ( Physical defects ) 次之。

佮探針式比起來 ( Probe ) 電性量測，電子束檢測具有兩个顯明的優勢，會當佇製作電子元件的過程中，快速反應製程問題，( 一 ) 即時性。會當佇線頂 ( in line ) 檢測缺陷狀況。( 二 ) 預判性。無愛製作電極 ( electrode pad ) 就會當檢出。進一步來說明，元件的良率佮電性表現必須愛佇咧整體元件製程完成了後，才會當固定式探針設備量測了其結果，咧分秒必爭的半導體產業，電子束檢測會當提早多道製程，既然會知影講元件缺陷狀況，這是一個顯出的時效優勢，致使技術予廣泛的應用佇電子產業上。

檢測原理

其檢測方式，是利用電子束掃描待測元件，得著二次電子成像的影像，根據影像的灰階值 ( Gray level ) 懸低，以電腦視覺比對辨識，揣出圖像中的異常點 ( abnormal )，看做電性欠點，比如講，佇咱正電位的模式下 ( Positive model )，光點顯示待測元件為短路 ( short ) 抑是漏電 ( leakage )，暗點為著斷路 ( open )。

其工課原理是利用電子束直射待測元件，大量的電子連鞭累積佇元件內底，改變元件的表面電位 ( surface potentail )，做表面電位大於零 ( 佮元件的彼个基板是相對元件的 ( substrate ) 電位 )，講號做正電位模式 ( Positive model )，反之，講負電位模式的 ( Negative model )。

參考資料

• PROVision™ eBeam Inspection | Applied Materials
• 電子束微影系統 E-Beam，國研院儀科中心
• 影片十四分之十六 nm 檢測需求漢微科明年產能翻三倍-熱門新聞-新電子科技雜誌 Micro-electronics
• 臺灣區電機電子工業同業公會-Taiwan Electrical and Electronic Manufacturers'Association
• 國立成功大學機構典藏使用先進電子束缺陷檢測的設備以加速金氧化半導體製程開發