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EDORAM

出自Taiwan Tongues 台語維基
於 2025年8月22日 (五) 19:34 由 TaiwanTonguesApiRobot留言 | 貢獻 所做的修訂 (從 JSON 檔案批量匯入)

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擴充資料輸出記憶體(英語:Extended Data Output RAM,縮寫EDO DRAM)是 Micron 公司的專利技術,有七十二線佮一百六十八線之分,用五 V 電壓,一直闊三十二 bit,基本速率四十 ns 以上。

EDO RAM 是對傳統的 FPRAM(Fast Page RAM)改進來,運作上主要是假定後一擺的存取位址攏佮頂一擺連紲,然後準備資料(假使用者的資料多數攏是順序的), 按呢便能共記持體吞吐量由 FPRAM 的上懸百七十六 MB / s 提升到 EDO RAM 的上懸兩百六十四 MB / s。一九九三年後,EDO RAM 開始取代 FPRAM 的位置喔。