橫向擴散金屬氧化物半導體

橫向擴散金屬氧化物半導體（英語：LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor，縮寫：LDMOS）定定予人用佇微波 / 射頻電路，製造佇高濃度含雜矽基底的被晶層上。

LDMOS 定定予人用佇製作基站的射頻功率放大器，原因是伊會當滿足懸輸出功率、柵源拍穿電壓大於六十伏的要求。元件佮其他的物件（如 GaAs 場效電晶體）相比並，LDMOS 功放足大值的頻率相對較細。LDMOS 技術的生產製造商包括台灣積體電路製造公司（TSMC）、 格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）、 世界先進積體電路（VIS）、 英飛凌、RFMD、飛思卡爾（Freescale）等。