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LPDDR

出自Taiwan Tongues 台語維基
於 2025年8月23日 (六) 11:19 由 TaiwanTonguesApiRobot留言 | 貢獻 所做的修訂 (從 JSON 檔案批量匯入)

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行動 DDR(英文:Mobile DDR)(嘛稱MDDRLow Power DDR抑是LPDDR)是 DDR SDRAM 的一種,專門用佇咧移動式電子產品,譬如講智慧型電話等等。

DDR 記憶體對 DDR、DDR 二、DDR 三發展到 DDR 四,頻率直直衝懸、電壓一直降低,但反應時間不斷變大。現此時的 DDR 四記持體上重要的使命是提高頻率佮頻寬。DDR 四記持體的逐个針跤會當提供二 Gbps(兩百五十六 MB / s)彼个頻闊,擁有四千兩百六十六 MT / s 彼个頻率,記持體容量上大會當到一百二十八 GB,執行電壓正常會當降甲一四界 V ~ 一孵二 V。

相對的是 DDR 記持體,MDDR 有低功用、高可靠性的特點,目前韓國三星電子佮美光科技(Micron Technology)等公司已經掌握這个技術。

MDDR 的執行電壓(工作電壓)低於 DDR 的標準電壓,對第一代 LPDDR 到這馬的 LPDDR 四,每一代 LPDDR 攏使內部讀取速度佮外部傳輸速度增加倍。現此時的 LPDDR 四會當提供三十二 Gbps 彼个頻闊,輸入 / 輸出介面資料傳輸速度上懸會當到三千兩百 Mbps,電壓降到甲一四界 V。

LPDDR 二

一个新的 JEDEC 標準 JESD 二百空九九二二 F 定義矣 low-power DDR 介面標準。伊佮 DDR 一抑是 DDR 二 SDRAM 無相容,猶毋過類似:

  • LPDDR 二-S 二 : 二 n prefetch memory ( 像 DDR 一 ),
  • LPDDR 二-S 四 : 四 n prefetch memory ( 像 DDR 二 ),抑是講
  • LPDDR 二-N : 非揮發性(NAND)記持體。

低功了狀態基本相𫝛,LPDDR,一寡另外的部份陣列更新選項。

列位址(Column address)C 零 bit 毋捌轉予,並假定做零。突發傳輸(Burst transfers)從而且終在偶數位址開始。

LPDDR 二嘛有一个低電平有效的 chip select(伊懸,一切攏是 NOP)佮時鐘(clock)開啟 CKE 訊號,操作像 SDRAM。

  • 若晶片去予啟用(active), 伊凍結(freeze)到位。
  • 若該命令彼是一个 NOP(CS 低或者是 CA 零-二=HHH), 晶片空閒。
  • 若該命令是一个更新號令(CA 零-二=LLH), 晶片進入自更新的狀態。
  • 若該命令是一个突發終止(CA 零-二=HHL), 晶片進入深斷電的狀態。(完全復位序列的時陣,愛離開。)

LPDDR 三

二空一二年五月,JEDEC 固態技術協會公佈 JESD 兩百空九陽三低功了記憶裝置標準。比起 LPDDR 二,LPDDR 三提供閣較懸的數據傳輸速率、閣較懸的頻寬和功率效率。LPDDR 三會當達到一千六百 MT / s 的數據傳輸速率,並利用關鍵的新技術 write-leveling、command / address training、選擇性 ODT(On Die Termination)佮低 I / O 電容。LPDDR 三支援 PoP 封裝(package-on-package)佮離散封裝兩个形式。

LPDDR 四

二空一三年三月十四,JEDEC 固態技術協會舉辦會議,探討未來行動裝置的新標準,如 LPDDR 四。

LPDDR 四 X

三星電子提出上新的 LPDDR 四標準,佮 LPDDR 四相仝,只是透過將 I / O 電壓降低到空七六 V 毋是一爿孤一爿 V 來節省額外的功磨,也就是閣較省電。

LPDDR 五

二空一七年乎,JEDEC 固態技術協會當咧研究 LP-DDR 五記持裝置標準。就算講負責定記持體標準的 JEDEC 固態技術協會猶未發表 LPDDR 五的正式規格,但是三星已經完成八 Gbit LPDDR 五模組原型的功能測試佮驗證。

JEDEC 佇咧二空一九年二月十九發布矣 JESD 兩百空九九鼻五,低功了雙倍數據速率五(LPDDR 五)標準。

LPDDR 五 X

二空二一年七月二八,JEDEC 發佈矣 JESD 兩百空九九鼻五 B,低功了雙倍數據速率五 ( LPDDR 五 )。JESD 兩百空九九鼻五 B 包括著 LPDDR 五標準的更新,專注射提高效能、功了佮靈活性,猶閣有新的 LPDDR 五 X 標準,這是嘿 LPDDR 五的會當選擴展。

二空二一年十一月初九,三星宣佈公司已經開發出業界頭款 LPDDR 五 x DRAM。基於十四奈米的十六 GB LPDDR 五 X DRAM 解決方案,毋但有一片三倍以上的數據傳輸速率、功用猶降低將近百分之二十。

二空二一年十一月二二,美光科技宣佈,聯發科技已經率先驗證美光 LPDDR 五 X DRAM,閣欲用腦筋的智慧型手機仔打造甲規身軀頂知九千五 G 旗艦晶片組。

注釋

外部連結

  • Samsung
  • Micron
  • Elpida