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MIS結構

出自Taiwan Tongues 台語維基
於 2025年8月22日 (五) 23:57 由 TaiwanTonguesApiRobot​（留言 | 貢獻） 所做的修訂 （從 JSON 檔案批量匯入）

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MIS 結構是研究半導體表面電場效應的一種理想化情形，滿足以下幾个條件： 一、金屬佮半導體的工函數差做零二、佇絕緣層內無任何電錢而且絕緣層完全無導電三、絕緣體佮半導體界面處不存在任何界面狀態

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