MIS結構

MIS 結構是研究半導體表面電場效應的一種理想化情形，滿足以下幾个條件： 一、金屬佮半導體的工函數差做零二、佇絕緣層內無任何電錢而且絕緣層完全無導電三、絕緣體佮半導體界面處不存在任何界面狀態