低溫多晶矽

低溫多晶矽（Low-temperature polycrystalline silicon，LTPS）是一種佮傳統的方法（九百 °C 以上）相比並，佇相對較低的溫度（~ 六仔五 °C 佮閣較低）合成的多晶矽。LTPS 對顯示行業足重要的，因為大型玻璃面枋暴露佇高溫下易變形。閣較具體咧講，薄膜電晶體（LTPS-TFT）中使用多晶矽具有大規模生產平板液晶顯示器抑是圖像傳感器遮的電子設備的巨大潛力。

多晶矽的發展

多晶矽（p-Si）是由真濟晶體抑是懸有序晶格粒組成的純導電元素形式。一九八四年，研究表明，非晶矽（a-Si）是形成結構穩定、表面粗粗度低的 p-Si 薄膜的機器是排前體。矽薄膜採用低壓化學氣相沉積（LPCVD）合成，以儘量減少表面粗粗度。首先，非晶矽沉積佇五百六十五六百四十 °C。然後佇九百五十七點一百 °C 進行熱退火（閣結晶）。 對無定形的薄膜開始，毋是直接沉積晶體，生產出具有優越結構佮所需要光滑度的產品。一九八八年，研究人員發現，退火期間進一步降低溫度，加上先進的電漿體增強化學氣相沉積（PECVD）， 會當促進閣較懸的電導率。遮的技術嘿微電子、光伏佮顯示增強行業產生了深遠的影響。

用佇液晶顯示器

非晶矽 TFT 因為會當組成複雜的大電流驅動電路，因為按呢佇液晶顯示器（LCD）平板推廣泛應用。無定形 Si-TFT 電極驅動液晶顯示器中晶體的對齊。向 LTPS-TFT 的演變會當帶來真濟好處，親像閣較懸的設備解析度、低的合成溫度佮降低基板的價數。毋過，LTPS-TFT 嘛有幾个缺點。比如講，傳統 a-Si 器件內底 TFT 伊的面較大，致使空徑較細空（也無透明 TFT 阻斷的面積，對今仔日允准光線）。 無仝空徑比起來無兼容性阻止矣基於 LTPS 的複雜電路佮趕動器集做到 a-Si 材料中。此外，因為電晶體拍開的時溫度衝懸，LTPS 的質量綴時間咧捒，電晶體通過拍破材料中的 Si-H 鍵來降解薄膜。這共致使設備出現漏水故障佮電流泄漏，特別是佇咧細細電晶體內底，彼散熱不良。

雷射退火處理

XeCl 準份子-雷射退火（ELA）是通過雷射輻照熔去 a-Si 材料產生 p-Si 的頭一个關鍵方法。佮 a-Si 相對應的多晶矽，會當通過某一寡程序對非晶矽合成，佮廣泛使用的 a-Si TFT 相比有幾个優勢：

一 . 高電子徙率； 二 . 高解析度佮孔徑比； 三 . 適用佇咧電路的懸度集做度。

XeCl-ELA 成功地將 a-Si（厚度佇咧五百配一爿 A 之間）結晶為 p-Si，煞無需要加熱基板。多晶形式有較大的晶粒，因為晶界的散射減少，TFT 的這个流動性閣較好。這項技術成功地集做液晶顯示器中的複雜電路。

LTPS-TFT 設備的發展

除了 TFT 本身伊的改進外，LTPS 敢會當成功應用佇圖形的顯示，猶閣決定佇電路的創新。最近的一項技術牽涉著像素電路，其中電晶體的出電流佮被值電壓無關，自按呢產生齊勻的光度。LTPS-TFT 通常用佇驅動有機發光二極體（OLED）顯示器，因為伊有高解析度佮大版的適應性。毋過，LTPS 結構的變化會致使信號鼻值電壓無齊勻，使用傳統電路的光度無齊勻。新的像素電路包括四个 n 型 TFT，一个 p 型 TFT，一个電容器佮一个控制圖像解析度的控制元件。提懸 TFT 的性能佮微平版印刷對推入來 LTPS 有源矩陣 OLED 足重要的。遮的真濟重要技術使晶體薄膜的遷移率達到十三 cm 二 / Vs，並且對大規模的生產解析度超過五百 ppi 的 LED 佮液晶顯示器。