影響四界

影響四界（Bismuth Germanate 抑是 Bismuth Germanium Oxide，簡稱 BGO）是 Bi 二 O 三-GeO 二系化合物的總稱，上捷看著的兩款鋪酸氣合物的化學式為 Bi 四 Ge 三 O 十二（CAS：一石兩千兩百三十三石五十六塗六）和 Bi 十二 GeO 二十（CAS：一石兩千兩百三十三石七十三石七）。 因為應用上廣泛、研究上蓋深入，「 影響四界」抑是「BGO」通常予人用來特指 Bi 四 Ge 三 O 十二（本條目亦遵從此習慣）， 這是一種立方晶系的無色透明晶體，佇高能的粒子抑是高能射線（γ 射線、X 射線）的作用下會發出峰值波長做四百八十  nm 的綠色螢光，利用其閃爍性能可探測懸能粒子佮高能射線。

酸微的性質

影響四弦晶體主要性質如下表所示（其中部份性能可能佮製備工藝有關係）：

塗酸是一種無激活劑的純無機閃爍體，其發光的機制佮 Bi 三 + 離子的興旺有關，發射譜佮吸收譜有少量重疊，存在一定的自吸收；影響四淋晶體有效原子序真懸、密度大，就按呢嘿 γ 射線探測效率較懸；發光效率較低（相對的是 NaI ( Tl ) 晶體）， 而且折射率較懸不利對光子收集。總體來講，影響著影響著輻射探測領域適用佇咧對 γ 射線探測效率要求懸而對能量解析度要求較冗的場合。

影響四界的發展佮應用

影響是一款人工合成的晶體，一九五七年 Durif 首先通過固相反應合成趨酸雞胿；一九六五年 Nitsche 頭擺生出被酸痕單晶；一九六九年 Johnson 和 Ballman 頭擺製備得著和四配的趨勢地雷射晶體並報導其實干焦發射；一九七三年 Weber 等人頭擺報導了枋酸晶體的閃爍特性。二十世紀七八十年代，Cho、Farukhi 等人欲知影講酸卑晶體應用 CT 和 PET。一九八一年歐洲核子研究中心丁肇中教授領導的國際合作實驗組 LEP 學三提出需要一爿二千枝 sài-sù 抹酸抹單晶建造電磁量能器，這需求真大推動著被酸晶體的工業化、規模化、大型化研發佮生產。目前，影響響晶體已經占 PET 市場百分之五十以上份額，高能物理和空間物理實驗、核反應爐運行監測等等的領域也攏大規模地使用鼻芳的影響體製作閃爍體的探測器。

含著酸的製備

影響四淋晶體上早是採用提拉法生長，若尾閣發展出熱交換法和被鋪下降法。目前主流的甲板酸單晶生長方法是提拉法佮被影下降法：

提拉法的主要優點佇咧生長的過程較好觀察，控制溫度梯度就是。會當減小晶體應力，防止抹壁的寄生成核；閣會當方便的使用定向子晶佮「縮頸」工藝，降低位毋著密度。通常，採用較大的轉速、較細的提拉速度佮較細的溫度梯度對生長優質知影影影影影響晶體。

佮提拉法相比，抹落去法具有如下特點：

• 晶體的形佮 sài-sù 隨抹壁堵定，適合生大漢 sài-sù 抑是異型晶體；
• 因為採用全封閉抹粉進行生長，會當防止熔體中各組分的揮發，同時閣會當避免有害物質對周圍環境的影響；
• 因為一爐會當同時生長桌根抑是幾十枝無仝規格 sài-sù 的晶體，所以適合規模化晶體的生長；
• 操作工藝較簡單，𠢕佇咧實現程序化佮自動化；
• 下降法生長的晶體平均勻性比提拉法生長的好利用鼻著下降法生長晶體過程中溫度梯度和影響會降速度是上重要的兩个參數，保持適當的溫度梯度佮下降速度也使固液界面平認為生長高質量增加酸晶體。