鐵電隨機存取記憶體
這是此頁批准，以及是最近的修訂。
鐵電隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM，縮寫為 FeRAM 抑是 FRAM）， 類似 SDRAM，是一種隨機存取存儲器的技術。但是伊使用一層有鐵電性的材料，取代原號的介電質，予伊也真有非揮發揮的記持體的功能。麻省理工大學達德利 ・ 艾倫 ・ 巴克（Dudley Allen Buck）佇一九五二年提出的碩士論文中，提出這个概念。伊有比緊閃記憶體閣較低的了電量，猶閣較懸的寫入速度，閣有閣較長的讀寫壽命 ( 差不多十 ¹⁰ 到十 ¹⁵ 次循環 )。伊佇咧 + 八十五鋪氏度會當保存數據十年以上。毋過伊的缺點是比緊閃記憶體存儲密度較低，存儲容量的限制，佮閣較懸的價數。佮 DRAM 相比並，鐵電隨機存取器的讀操作是破壞性的，因為伊需要遵循先寫後讀架構；若較舊製程的一寡產品，其密度佮速度佮仝款製程的 DRAM 接近，毋知會當使用佮 DRAM 仝款先進的製程製造。比較起來 MRAM，鐵電隨機存取記憶體會當佇強大濟濟磁場下正常使用。