電子抹除式會當複寫唯讀記持體
電子抹除式會當複寫唯讀記持體（英語：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EEPROM抑是E 二 PROM）， 是一種唯讀記持體（ROM）， 會當通過電子的方式加改複寫。相比並 EPROM，EEPROM 無需要意外線照射，嘛無需要取下，就會當用特定的電壓，來抹除晶片頂懸的資訊，以便寫入新的數據，EEPROM 屬於 SPD（串行存在檢測）技術的一種延伸。
EEPROM 分做四種的工作模式：讀彼个模式、寫入模式、擦模式、校驗模式。讀的時陣，晶片只要 Vcc 低電壓（一般 + 五 V）供電。咧編程寫入去的時陣，晶片會通過 Vpp（一般 + 二十五 V , 有時比較新者會使用 + 十二 V 抑是 + 五 V）得著編程電壓，而且通過 PGM 編程脈衝（一般為著五十 ms）寫入數據。擦時間，干焦需要使用 Vpp 高電壓，無需要紫外線照射，就會當拭拭指定位址內底的內容。為著保證寫入正確，每寫入去一塊數據了後，攏需要進行類似讀的校驗步數，若是錯誤就重新寫入。現今的 EEPROM 通常就無閣需要使用另外的 Vpp 電壓，而且寫入去時間嘛足短的。咧民用的 DDR SDRAM 佮其主流後續產品內底，一般 EEPROM 主要用佇儲存記持體的開發者資訊、生產的時間、記持體資訊、通訊協定、既定記憶體頻率、供電電壓、供電電流、物理訊息佮記持體 XMP 等訊息，而且電腦會佇開機自檢（Power-On Self-Test；POST）時會讀取遮的訊息以保持電腦的正常開機。
緊閃記持體是 EEPROM 的後續延伸。
歷史
一九七八年，Intel 公司的 George Perlegos 佇咧 EPROM 技術的基礎頂面，改用薄的極氧化層，通好無需要紫外光，晶片就會當用電氣的方式來抹除家己的位元，因為開發出型號做二千八百十六的十六 kbit EEPROM。Perlegos 佮一寡同事尾仔離開 Intel，創立 Seeq Technology 公司後，佇咧晶片頂懸內建電荷phóng-phuh咧（charge pump）以提供燒錄的時陣家己所需要的高電壓，因為你推出干焦愛五 V 電壓的 EEPROM，利佇實施線頂咧燒錄（In-System Programming，ISP 抑是稱 In-Circuit Programming，ICP）。
EEPROM 元件的類型
有的 EEPROM 其他的元件內底，為該元件的一部份。比如講：MCU 中可能包含用來儉程式抑是資料的 EEPROM、數位電位器（Digital Potentiometer）內嘛需要 EEPROM 來儲存目前的設定值。
單獨的 EEPROM 元件，其通信口通常會當分做串行（serial）佮並列（parallel）兩類。除電源線以外，串行通信口干焦使用一 ~ 四隻接線來傳遞訊號，所需要接跤比較列式較少，通常用來儉資料。執行用的程式是通常囥佇並列式的 EEPROM 中，以利存取。
序列式 EEPROM
- Microwire 通信口（四線）： 型號做以九十三開頭的系列。例：九十三 C 四十六
- I 二 CTM 通信口（二線）： 型號做以二十四開頭的系列。例：二十四 LC 二
- SPI 通信口（三線）： 型號做以二十五開頭的系列。例：二十五 LC 八
- UNI / OTM 通信口（一線）： 由 Microchip 公司出品，型號做伊十一開頭的系列。
- 一-Wire® 通信口（一線）： 由 Dallas / Maxim 公司出品。
並列式 EEPROM
型號通常為以二十八開頭的系列。
至於型號通常為以二十九抑是四十九開頭的系列，寫入需要以較大的區塊為單位，此種的記持體一般會使用 Flash（閃存 / 緊閃記持的）來稱呼。所以講較小單位 ( 譬如講以位元組 ) 擦擦抑是寫入去的則才以 EEPROM 稱呼，以作區別。
世界主要製造商
- ON Semiconductor 安森美半導體
- Mitsubishi 三菱
- Atmel 愛特梅爾
- Hitachi 日立
- Infineon 英飛凌
- Macronix 旺宏電子（有生產 NOR / NAND Flash）
- 美信整合產品
- Maxwell Technologies
- 微晶片科技微芯
- NXP Semiconductors 恩智浦半導體
- Renesas Technology 瑞薩科技
- Rohm 羅姆電子
- Samsung Electronics 三星電子
- STMicroelectronics 意法半導體
- Seiko Instruments 精工
- Toshiba Semiconductor 東芝
- Winbond 華邦電子